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微型化已經成為印刷線路板和電子封裝材料發展的主要方向之一，其中聚合物基電子封裝材料在電子器件封裝應用中具有廣闊前景。為了滿足線路板和器件日益增大的導熱(散熱)需求，需考慮讓電介質材料具有較大的熱導率，目前在聚酰亞胺薄膜中填充氮化鋁(A1N)或碳化矽(SiC)以提高材料的導熱性能，逐漸成為研究熱點。
采用KH550偶聯劑對氮化鋁粒子表麵進行物化處理，提高有機一無機兩相界麵的結合力，然後使用原位聚合將納米氮化鋁加入到聚酰亞胺中，納米氮化鋁含量為13％時，納米複合薄膜的導熱係數由純PI膜的0．16 w／(m·K)提高至0．26W／(m·K)。
公開了一種高導熱聚酰亞胺薄膜的製備方法，使用表麵經偶聯劑處理後的氮化鋁或碳化矽改性傳統的聚酰胺酸樹脂，再流延至不鏽鋼帶上，經高溫幹燥後獲得高導熱低熱膨脹係數的PI膜，其導熱係數達到0．61 w／(m·K)以上，而熱膨脹係數在30 ppm／K以下。
傳統的聚酰亞胺薄膜導熱係數僅為0．16 w／(m·K)左右，應用於微電子的高密度和高速化運行時容易出現電路過熱，影響元器件和集成電路的穩定性，高導熱PI膜是順應市場需求而產生的產品，其製備工藝和原理與耐電暈PI膜類似，都是將具有特殊功能的納米填料摻雜人到聚酰胺酸樹脂中，再高溫亞胺化成膜，使得薄膜具有相應的功能。同樣，高導熱PI膜所需要解決的問題也是如何將納米填料均勻分散在樹脂體係中。
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